SKハイニックス（000660.KS）今後の株価見通し：最新の2024年2Q決算は好調も株価は急落？

SKハイニックス（000660.KS）の最新の2024年度第2四半期決算に関して

2024年度第2四半期決算

純利益、営業利益、売上高、いずれもStreetAccountの市場予想のデータを上回る着地となっています。

・親会社株主に帰属する純利益：4兆1,200億ウォン（StreetAccount予想：3兆8,230億ウォン）

・営業利益：5兆4,690億ウォン（StreetAccount予想：5兆2,670億ウォン）

・売上高：16兆4,230億ウォン（StreetAccount予想：16兆1,730億ウォン）

ただし、期待値が高かったため、2024年度第2四半期決算の結果を受けて株価は下落しています。そして、ここでは、期待が如何に重要であるということを、改めてお伝えいたします。優れた結果に関連して、SKハイニックス（000660.KS）はメモリのアップサイクルがどのように機能するかを示してくれました。

※メモリのアップサイクル（Memory Upcycle）：メモリ市場において需要が高まり、供給が追いつかない状態になることで、メモリ製品の価格が上昇し、収益が改善する局面を指す。

では、決算説明会の遣り取りで注目すべき点を幾つか見ていきましょう。

（原文）DRAM saw a significant increase in sales of general server products along with the expansion of HBM3E sales, leading to bit growth of low 20% sequentially, above guidance of mid-teen percent. ASP rose mid-teen percent sequentially due to higher mix of premium products such as HBM and server DRAM, while prices rose across all products for 3 consecutive quarters. Particularly notable was HBM sales, which drove overall revenue growth by growing over 80% from the previous quarter and over 250% year-onyear.

（日本語訳）DRAMは、一般的なサーバー製品の販売が大幅に増加し、HBM3Eの販売拡大とともに、ビット成長が四半期比で20%台前半と予測の10%台半ばを上回りました。HBMやサーバーDRAMなどのプレミアム製品の割合が高まったため、平均販売価格（ASP）は四半期比で10%台半ば上昇し、すべての製品の価格が3四半期連続で上昇しました。特に注目すべきは、HBMの販売が前四半期比で80%以上、前年同期比で250%以上増加し、全体の売上成長を牽引したことです。

※DRAM (Dynamic Random Access Memory)：コンピュータや他のデジタルデバイスにおいて広く使用されているメモリの一種。動的メモリであるため、情報を保持するためには定期的なリフレッシュが必要。DRAMは、データの読み書き速度が速く、揮発性メモリとして主に使用される。

※HBM (High Bandwidth Memory)：従来のDRAMよりも高い帯域幅を提供するメモリ技術で、3Dスタッキング技術を用いてメモリチップを積層し、高速なデータ転送を実現。特に、グラフィックスカードや高性能コンピューティング（HPC）で使用されることが多い。

※HBM3E：HBM技術の最新の世代であり、さらなる帯域幅の向上と消費電力の低減を目指したもの。より多くのデータをより迅速に処理する必要がある先端のコンピューティング用途に適している。

※ビット (Bit)：情報の最小単位で、二進数の「0」または「1」で表現される。コンピュータやデジタルデバイスにおいてデータを表現する基本的な単位。

HBMは好調ですが、供給が少ないため、DRAMとSSDも同様に好調となっています。

※SSD (Solid State Drive)：フラッシュメモリを使用してデータを保存するストレージデバイス。HDD（ハードディスクドライブ）よりも高速で耐久性があり、静かであるため、多くのコンピュータやデータセンターで採用されている。

（原文）In particular, the memory suppliers allocate more wafer capacity for HBM, production capabilities for other DRAM products can be constrained as HBM consumes more wafer capacity due to larger die size. As a result, DRAM prices are increasing continuously when demand for traditional end markets has not yet fully recovered.

（日本語訳）特に、メモリ供給者がHBMのためにより多くのウェハーキャパシティを割り当てているため、HBMがダイサイズが大きいためにより多くのウェハーキャパシティを消費するため、他のDRAM製品の生産能力が制約されることがあります。その結果、従来のエンドマーケットの需要がまだ完全に回復していない中、DRAMの価格は引き続き上昇しています。

※ウェハー (Wafer)：ウェハーは、半導体デバイスを製造する際の基板として使用される薄いシリコンの円盤。ウェハーの上に様々なプロセスを施して、集積回路が作られる。

そして、ここからが私にとって最も驚くべき部分でした。従来のDRAMのビット出荷は、価格が急騰しているにもかかわらず、一桁台前半にとどまり、NAND価格を是正するためにNANDの出荷を減らしています。

※NAND：フラッシュメモリの一種で、データのストレージに使用される。NANDフラッシュメモリは、データを一時的に消去しなくても書き込みや読み出しができるため、USBドライブ、メモリーカード、SSDなどで広く利用されている。NANDは「NOT AND」から来ており、論理ゲートの種類を指している。

（原文）Now I'll discuss our plans. Third quarter DRAM bit shipment is expected to grow by low-single-digit percent sequentially, driven by further expansion of our HBM sales volume, where strong demand is evident. NAND bit shipment is expected to decrease by mid-single-digit percent sequentially despite increase in eSSD sales volume given yet soft end demand in conventional applications and relatively high customers' inventory.

（日本語訳）ここで私たちの計画についてお話しします。第3四半期のDRAMビット出荷は、強い需要が見込まれるHBM販売量のさらなる拡大により、四半期比で一桁台前半の成長が予想されています。従来のアプリケーションの需要がまだ低調で、顧客の在庫が比較的高いため、eSSDの販売量が増加しているにもかかわらず、NANDビット出荷は四半期比で一桁台中盤の減少が予想されます。

さらに、少し奇妙なことを考えてみましょう。DRAMのマージンは、DRAM価格の急速な変動と、今四半期に契約価格を再設定する機会があるため、高くなる可能性があります。一方で、HBMの契約は年間で行われます。価格は四半期ごとに中一桁台で上昇しており、メモリ企業が価格上昇を固定できるようになっています。

（出典：ブルームバーグ）

私は、HBMが長期的にはより高い利益率を持つと考えていますが、これは短期的な契約市場が予想外の価格変動を引き起こす例です。これはDRAM価格の急騰についての話に過ぎませんが、たとえサムスンがHBMの市場で主要な地位を得られなくても、彼らにとって有利な状況になるでしょう。

（原文）-While overall capacity is expected to increase next year due to the increased industry investment, a significant portion of it will be utilized to ramp up production of HBMs so the tight supply situation for conventional DRAM is likely to continue. Furthermore, if the demand recovery for conventional DRAMs accelerates, it is possible that the profitability of conventional DRAMs, which are priced on a quarterly basis, may be higher than that of HBM, which is priced on an annual contract basis.

（日本語訳）業界全体での投資増加により来年には生産能力が増加する見込みですが、その多くはHBMの生産拡大に利用されるため、従来のDRAMの供給は引き続き逼迫する可能性が高いです。さらに、従来のDRAMの需要回復が加速すれば、四半期ごとに価格が設定される従来のDRAMの収益性が、年間契約で価格が決まるHBMの収益性を上回る可能性もあります。

最後に、12-Hiの製品のクロスオーバーが来年の前半に起こる予定です。

※12-Hi：HBM（High Bandwidth Memory）などの3Dスタックメモリにおけるチップの層数を示している。「Hi」は「高さ」を意味し、12-Hiは12層のメモリチップが垂直に積み重ねられていることを表している。これにより、より多くのデータを高速で処理することが可能となり、特に高性能なコンピューティング用途でのデータ転送速度が向上する。

※クロスオーバー (Crossover)：技術や製品における変化や移行を指す用語。例えば、新しい技術や製品が従来のものに取って代わるタイミングや、需要や供給のシフトを表すことがあります。この文脈では、8-Hiから12-Hiへの需要や供給の転換点を指している。

（原文）Demand for the 12-Hi product is expected to increase in earnest from next year, and we expect the supply of HBM3E 12-Hi to exceed that of 8-Hi in the first half of next year.

（日本語訳）12-Hi製品の需要は来年から本格的に増加すると予想されており、来年の前半にはHBM3E 12-Hiの供給が8-Hiを上回ると予測しています。

また、BESI（BE Semiconductor Industries N.V.）が動揺している理由をお伝えしますと、HBM4は初めての世代でTCB技術を採用する予定ですが、歪みの問題によりハイブリッドボンディングがうまくいくかどうかはまだわかりません。

※HBM4 (High Bandwidth Memory 4)：次世代の高帯域幅メモリ技術のこと。HBMは、3Dスタック技術を使用してメモリチップを垂直に積み重ね、非常に高速なデータ転送速度と低消費電力を実現するメモリ技術。HBM4は、その第4世代にあたり、さらなる帯域幅の向上と効率化が図られており、AI、データセンター、グラフィックスなどの高性能計算用途での利用が期待されている。

※TCB技術 (Thermocompression Bonding：熱圧縮ボンディング) ：半導体チップを接合する際に使用される技術。この技術は、熱と圧力を組み合わせて接合を行うことで、接続の信頼性と精度を向上させる。特に、高密度の3D積層チップやファインピッチ接続を必要とするアプリケーションで利用される。

※ハイブリッドボンディング：半導体製造における先進的なチップ接合技術の一つで、半導体チップやウェーハ間の接続を実現するために使用される。この技術は、従来のボンディング技術と比べて、より高密度で高性能な接続を可能にするため、次世代の半導体パッケージングにおいて重要な役割を果たす。

（原文）The HBM4 16-Hi product is expected to be in demand in 2026, and we plan to develop in preparation for that demand. And we are reviewing both the advanced MR MUF and the hybrid bonding method to select the most optimal method to meet customer demands.

（日本語訳）HBM4の16-Hi製品は2026年に需要が高まると予想されており、私たちはその需要に備えて開発を進めています。顧客の要求を満たすために、先進的なMR MUFとハイブリッドボンディング法の両方を検討し、最適な方法を選ぶ予定です。

※16-Hi：半導体メモリ技術、特にHBM（High Bandwidth Memory）の分野におけるスタッキング技術を指す。具体的には、16層のメモリチップが垂直に積み重ねられていることを表している。このように多層化することで、メモリ密度を大幅に向上させ、高速なデータ転送を実現する。16-Hiスタッキングは、より高い性能と効率性を求めるアプリケーションで重要となっている。

※MR MUF (Molded Underfill)：半導体パッケージング技術の一つで、チップと基板間のギャップを埋めるための材料およびプロセス。これは、チップの信頼性を向上させ、機械的な強度を高めるために使用される。

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