マイクロン・テクノロジー（MU）HBM（高帯域幅メモリ）戦略：半導体/セミコンダクター・カンファレンスでの発表を徹底分析

※「マイクロン・テクノロジー（MU）2024年第3四半期決算プレビューと成長予測：AIサーバー需要が牽引する驚異的な業績回復」の続き

マイクロン・テクノロジー（MU）のHBMビジネスに関して

5月30日に開催されたゴールドマン・サックス（GS）のグローバル・セミコンダクター・カンファレンスでは、マイクロン・テクノロジー（MU）のチーフ・ビジネス・オフィサーであるスミット・サダナ氏が出席しており、その中で、HBM（High Bandwidth Memory：高帯域幅メモリ）の話題に関しては、複数の発表があった。

まず、予想される成長率に関してだが、マイクロン・テクノロジーは、2023年にDRAM業界全体のビット数の～2%をベースとして、CAGR（年平均成長率）が50%になると予想している。

（原文）Sure so last year HBM was less than 2% of the industry bits and this year ought to be somewhere around 4% in that range we do expect HBM bits to grow in the medium term in the 50 percent CAGR sort of range again based on the 2023 base year of course the industry bit growth rate say to high teens kind of a range but I would say that the HBM growth continues to be strong the demand continues to be extremely robust.

（日本語訳）昨年、HBMは業界ビットの2％未満でした。そして今年は4％前後になるはずです。この範囲では、HBMのビットは中期的にCAGR50％の範囲で成長すると予想しており、これは2023年を基準年としており、もちろん業界のビット成長率は10％台後半と言えるでしょう。しかし、HBMの成長は引き続き力強く、需要は非常に堅調であると言えるでしょう。

さらに、同社は、同社のHBM 3Eの消費電力は競合製品よりも少なくとも30%低いと主張している。

（原文）And we are