【台湾半導体】ナンヤ・テクノロジーとウィンボンド・エレクトロニクスの今後の見通しと将来性：DRAM＆NAND製品の供給不足は好機！

HBM市場の概要（マイクロン・テクノロジー・SKハイニックス・サムスン電子）

HBMへの需要により、マイクロン・テクノロジー（MU）とSKハイニックス（000660.KS）の株価は過去12ヶ月の間に史上最高値まで急騰している。

現時点では、両社の株価はすでにピークに達しており、両社への投資を検討するには少し時期が遅いのではないかと思われる。

サムスン電子（005930.KS）の株価も上昇しているが、上述の同業他社ほどではない。

これは、サムスン電子が単なる主要なメモリメーカー以上の存在であることが大きな要因となっていると考えられる。

好調な時期には、メモリ部門が同社の主要な収益源となるが、それだけではない。

もう1つの要因は、サムスン電子が提供するHBM製品に問題があるという報道である。

2024年2月、サムスン電子はHBM3Eを発表した（詳細はこちら）。

（原文）Samsung Electronics, a world leader in advanced memory technology, today announced that it has developed HBM3E 12H, the industry’s first 12-stack HBM3E DRAM and the highest-capacity HBM product to date.

（日本語訳）サムスン電子は、先進メモリ技術の世界的リーダーとして、本日、業界初の12層HBM3E DRAMである「HBM3E 12H」を開発したことを発表しました。これは、これまでで最高容量のHBM製品となります。

（原文）Samsung’s HBM3E 12H provides an all-time high bandwidth of up to 1,280 gigabytes per second (GB/s) and an industry-leading capacity of 36 gigabytes (GB). In comparison to the 8-stack HBM3 8H, both aspects have improved by more than 50%.

（日本語訳）サムスンのHBM3E 12Hは、最大1,280ギガバイト毎秒（GB/s）の過去最高の帯域幅と、業界最高の36ギガバイト（GB）の容