【半導体：Part 2】トランジスタとは？GAA（ゲート・オール・アラウンド）を取り巻く背景と共にトランジスタの詳細を徹底解説！
ウィリアム・ キーティング- 本編は、半導体市場における注目のテクノロジー、GAA（Gate All Around：ゲート・オール・アラウンド）の現状と将来性を詳細に分析した長編レポートとなり、4つの章で構成されています。
- 本稿Part 2では、「トランジスタとは？」という疑問に答えるべく、半導体トランジスタの詳細とGAA（Gate All Around：ゲート・オール・アラウンド）を取り巻く背景を詳しく解説していきます。
- トランジスタの基本設計は1947年の発明以来ほとんど変わっておらず、現在は「Gate-All-Around」FETへの移行という大きな変革期を迎えています。
- これまでの進化では、漏れ電流問題を克服するために「FinFET」が開発され、半導体業界で標準的な技術となったが、小型化の進展に伴い新たな課題が浮上しています。
- GAAトランジスタはチャネルを完全に囲む構造を採用し、FinFETの課題を解決する設計として注目されており、半導体業界の新たな標準技術となる可能性があります。