【半導体:Part 2】トランジスタとは?GAA(ゲート・オール・アラウンド)を取り巻く背景と共にトランジスタの詳細を徹底解説!
- 本編は、半導体市場における注目のテクノロジー、GAA(Gate All Around:ゲート・オール・アラウンド)の現状と将来性を詳細に分析した長編レポートとなり、4つの章で構成されています。
- 本稿Part 2では、「トランジスタとは?」という疑問に答えるべく、半導体トランジスタの詳細とGAA(Gate All Around:ゲート・オール・アラウンド)を取り巻く背景を詳しく解説していきます。
- トランジスタの基本設計は1947年の発明以来ほとんど変わっておらず、現在は「Gate-All-Around」FETへの移行という大きな変革期を迎えています。
- これまでの進化では、漏れ電流問題を克服するために「FinFET」が開発され、半導体業界で標準的な技術となったが、小型化の進展に伴い新たな課題が浮上しています。
- GAAトランジスタはチャネルを完全に囲む構造を採用し、FinFETの課題を解決する設計として注目されており、半導体業界の新たな標準技術となる可能性があります。
※「【半導体:Part 1】GAA(Gate All Around:ゲート・オール・アラウンド)トランジスタとは?GAAの基礎を徹底解説!」の続き
前章では、GAA(Gate All Around:ゲート・オール・アラウンド)トランジスタに関して詳しく解説しております。
本稿の内容への理解をより深めるために、是非、インベストリンゴのプラットフォーム上にて、前章も併せてご覧ください。


GAA(Gate All Around:ゲート・オール・アラウンド)を取り巻く背景
背景として、今まさに半導体の基本構成要素であるトランジスタの新たな設計へと移行しようとしています。
この変革の規模を理解するために、1947年に発明されて以来、トランジスタの基本設計は一度しか大きく変わっていないことを知っておくとよいでしょう。

(出所:Computer History Museum)
ここで少し歴史を振り返ってみましょう。半導体トランジスタが登場するずっと前、1904年にイギリスの物理学者ジョン・アンブローズ・フレミングが似たような機能を持つ装置を発明しました。
彼が発明したのは、熱電子放出と呼ばれる現象に基づいた真空管でした(詳細はこちら)。

(日本語訳)フレミングの装置は、密閉されたガラス管の両端にカソードとアノードという2つの電極を配置したものでした。カソードを加熱すると、熱電子放出により電子が放出されます。次に、アノード(プレートとも呼ばれます)に正の電圧をかけると、電子がプレートに引き寄せられて間の空間を渡り流れるようになります。管内を真空にすることで、電子はカソードからアノードへと妨げなく移動し、電流が生まれます。
(日本語訳)真空管ダイオードの簡易図です。カソードを加熱し、アノードに正の電圧をかけると、電子がカソードからアノードへ流れます。なお、カソードを加熱するための別電源(図には示していません)が必要です。
(出所:Engineering.com)
(原文)This type of vacuum tube, consisting of only two electrodes, is called a diode. The term diode is still used today to refer to an electrical component that only
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