【半導体：Part 3】トランジスタの進化とGAA（Gate All Around：ゲート・オール・アラウンド）の関係とは？

※「【半導体：Part 2】トランジスタとは​？GAA（ゲート・オール・アラウンド）を取り巻く背景と共にトランジスタの詳細を徹底解説！」の続き

前章では、「トランジスタとは​？」という疑問に答えるべく、半導体トランジスタの詳細とGAA（Gate All Around：ゲート・オール・アラウンド）を取り巻く背景を詳しく解説しております。

本稿の内容への理解をより深めるために、是非、インベストリンゴのプラットフォーム上にて、前章も併せてご覧ください。

トランジスタの進化とGAA（Gate All Around：ゲート・オール・アラウンド）の関係

GAAが半導体トランジスタの基本設計における2回目の大きな変革だと述べましたが、トランジスタは登場以来、多くの重要な改良や調整が繰り返されてきたことも理解しておくべきです。

例えば、2000年代初頭にインテル（INTC）が導入した「ストレインドシリコン」という技術があります（詳細はこちら）。

業界がインテルのストレインドシリコン導入に反応

（日本語訳）テキサス州オースティン発– インテル社が先週、90ナノメートル技術にストレインドシリコンを導入することを発表し、アナリストたちを驚かせ、競合他社も追随する動きを見せています。

（日本語訳）VLSIリサーチ社のアナリスト、ダン・ハッチソン氏は、インテルが90ナノメートル・ノードにストレインドシリコンを導入するという予想外の発表について、IBMが1997年に180ナノメートル技術で銅配線を導入した時と同じくらい大きな影響をもたらすだろうと予測しています。インテルは、来年から3つの工場で300ナノメートル・ウェハーを使ってこの技術の製造に移行する予定です。

（日本語訳）先週、複数の企業の技術責任者たちが、ストレインドシリコンを技術に加えることを決めたか、あるいは専用の研究チームがすでに取り組んでいると話しました。モトローラの技術企画マネージャーであるジョー・モガブ氏は、「業界のほぼ全員が現在、ストレインドシリコンを導入する方向で動いていると思う」と述べています。

（出所：EE Times）

これはシリコン原子を引き伸ばすことで、ゲートに流せる電流を増やそうというものでした（詳細はこちら）。

（原文）In the case of global strain, stress is introdu