【半導体：Part 4】GAA（Gate All Around：ゲート・オール・アラウンド）構造における主な変更点とは？
ウィリアム・ キーティング- 本編は、半導体市場における注目のテクノロジー、GAA（Gate All Around：ゲート・オール・アラウンド）の現状と将来性を詳細に分析した長編レポートとなり、4つの章で構成されています。
- 本稿Part 4では、GAA（Gate All Around：ゲート・オール・アラウンド）構造における主な変更点に関して詳しく解説していきます。
- GAAは、FinFETから進化した製造技術で、ナノシート構造、選択的エッチング、高精度のeBeam計測、原子層堆積（ALD）などが特徴です。
- GAAでは、エピタキシャル成長によるナノシート作成や、1000:1以上の選択比を持つ選択的エッチング、高解像度の電子ビーム計測が重要視されています。
- GAAへの移行は「革命」ではなく「進化」と位置づけられ、TSMCは技術リーダーシップを維持すると予想される一方、サムスンやインテルには課題が残る可能性があります。