Soitec——シリコンフォトニクスの始点 Pt.2

需要の先行指標：Towerの設備投資

Photonics-SOI需要の最も明確な短期シグナルは、TSEM（Tower Semiconductor）が最近発表した約9.2億ドルのキャパシティ拡張だ——明確に1.6T以上のシリコンフォトニクスに紐づき、確約済み顧客前払いによって支えられている。TSEMは2026年末までに月次SiPhoウェーハ投入量を5倍以上に増加すると発表している。同等の（ただし公開度の低い）キャパシティ増強がGFS（GlobalFoundries、バーリントン工場）とTSMCのシリコンフォトニクスロードマップでも進行中だ。これらファウンドリでの増分ウェーハ投入のそれぞれが、Soitecから対応するPhotonics-SOIウェーハを引き出す。

シンプルなTAMビルド：プラガブル vs CPO

AI主導のPhotonics-SOI機会をボトムアップで算出し、二つのアーキテクチャを分離する。前提はInnolightの経営陣コメンタリーが示唆するSiPhoシェア軌道と最新のハイパースケーラー向けトランシーバー予測に対してベンチマークされている。

ステップ1——ウェーハ経済性。 300mm Photonics-SOIウェーハは約70,000mm²の総面積を持ち、エッジ除外・スクライブレーン・歩留まりロス後、約50,000mm²が使用可能。800G SiPho PICダイは約50mm²、1.6T SiPho PICダイは約80mm²、新興の3.2T SiPho PICダイ——特にシリコン-ゲルマニウムハイブリッドボンディングで——は大幅に大きく100〜120mm²。CPO/NPO光エンジンダイはPhoton Ultraグレード基板上に構築され、さらに大型で複雑——約150mm²——であり、これらのアーキテクチャはスイッチASICあたり複数のエンジンを使用する。業界分析によれば、CPO/NPOはチャネル数とチップレット密度を考慮すると、同等帯域幅あたりプラガブルの約4倍のPhotonics-SOI面積を消費する。

ステップ2——2028年のボリューム前提。 二つの需要プールがPhotonics-SOI消費を駆動する：

- プラガブル。 2028年に業界が年間約1.8億本の高速光トランシーバー（800G/1.6T/3.2T合計）を出荷すると仮定。そのうちシリコ